申请/专利权人：乐金显示有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810229A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L29/786;H10K59/126

优先权：["20220930 KR 10-2022-0125097"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板，包括显示区域和非显示区域；以及第一薄膜晶体管，设置在基板上，且包括第一氧化物半导体图案、与第一氧化物半导体图案重叠的第一栅极、介于第一氧化物半导体图案与第一栅极之间的第一栅绝缘层、设置在第一氧化物半导体图案上并且连接到第一氧化物半导体图案的第一源极和第一漏极以及设置在第一氧化物半导体图案下方并且电连接到第一源极和第一漏极之一的第一遮光图案。第一栅极包括与第一氧化物半导体图案一起保持第一寄生电容的第一部分和保持小于第一寄生电容的第二寄生电容的第二部分。

主权项：1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板，包括显示区域和设置在所述显示区域周围的非显示区域；以及第一薄膜晶体管，设置在所述基板上，其中，所述第一薄膜晶体管包括：第一氧化物半导体图案，设置在所述基板上；第一栅极，与所述第一氧化物半导体图案重叠；第一栅绝缘层，介于所述第一氧化物半导体图案与所述第一栅极之间；第一源极和第一漏极，设置在所述第一氧化物半导体图案上并且连接到所述第一氧化物半导体图案；以及第一遮光图案，设置在所述第一氧化物半导体图案下方并且电连接到所述第一源极和所述第一漏极之一，并且其中，所述第一栅极包括与所述第一氧化物半导体图案一起保持第一寄生电容的第一部分，以及与所述第一氧化物半导体图案一起保持小于所述第一寄生电容的第二寄生电容的第二部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及包括其的显示装置

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