申请/专利权人：意法半导体(图尔)公司

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811568A

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185;H03K19/20;H03K19/003

优先权：["20220930 FR 2209951","20230922 US 18/371,622"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开涉及用于控制晶体管的电路和方法。一种用于控制MOS晶体管的方法将MOS晶体管的漏极和源极之间的第一电压与第二可控阈值电压进行比较。当第一电压小于第三电压时，向MOS晶体管施加比MOS晶体管的第五阈值电压大的第四控制电压。当第一电压大于第二电压时，施加到MOS晶体管的第四控制电压小于第五电压。第二电压在第一时间和第二时间之间等于第一恒定值，并且在第二时间和第三时间之间等于第二可变值。第二值等于第一电压与第六正电压之和。第三时间对应于第一电压反转的时间。

主权项：1.一种用于控制N沟道MOS晶体管的方法，包括：将所述N沟道MOS晶体管的漏极与源极之间的第一电压与第二可控阈值电压和第三电压进行比较；当所述第一电压小于第三电压所述第三电压时，在所述N沟道MOS晶体管的栅极和源极之间施加第四控制电压，第四控制电压处于比所述N沟道MOS晶体管的第五阈值电压大的电平；以及当所述第一电压大于所述第二可控阈值电压时，在所述N沟道MOS晶体管的栅极和源极之间施加所述第四控制电压，所述第四控制电压处于比所述晶体管的所述第五阈值电压小的电平；其中，所述第二可控阈值电压在第一时间和第二时间之间等于第一恒定值；并且在所述第二时间和第三时间之间等于第二可变值；所述第二可变值等于所述第一电压与第六正电压之和；并且其中，所述第三时间对应于所述第一电压反转的时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体(图尔)公司 用于控制晶体管的电路和方法

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