申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810066A

主分类号：H01L21/04

分类号：H01L21/04;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种碳化硅的注入结形成方法，涉及半导体工艺制造技术领域。其中，碳化硅的注入结形成方法包括：对具有沟槽的SiC外延片结构进行氧化，以使沟槽两侧壁的多晶硅被氧化，形成对称的区域氧化层，使得对称的区域氧化层的宽度间距满足所需的间距尺寸，对满足所需的间距尺寸的对称的区域氧化层和该对称的区域氧化层下方的SiO2层进行湿法去除，去除的对称的区域氧化层的宽度间距为沟槽刻蚀的边界和离子注入的边界之间的间距，使得沟槽刻蚀的边界和离子注入的边界之间的间距比较准确，得到满足所需间距尺寸的具有对称的注入结的SiC外延片结构，即离子注入区可以完全包裹沟槽，使得SiC注入结结构有效。

主权项：1.一种碳化硅的注入结形成方法，其特征在于，所述方法包括：在碳化硅外延片表面自下而上依次生长SiO2层、多晶硅层、SiNX层和掩膜层；在所述掩膜层的表面自上而下刻蚀，刻蚀至所述碳化硅外延片内，以形成具有沟槽的碳化硅外延片结构；通过多晶硅氧化工艺对所述具有沟槽的碳化硅外延片结构进行氧化，以使所述沟槽两侧壁的多晶硅被氧化，形成对称的区域氧化层；湿法去除所述SiNX层、所述对称的区域氧化层和该对称的区域氧化层下方的SiO2层，且湿法去除的SiO2层的宽度和所述对称的区域氧化层的宽度相同，形成具有注入掩膜的碳化硅外延片结构，所述注入掩膜包括湿法去除后的多晶硅层和湿法去除后的SiO2层；以所述湿法去除后的多晶硅层和所述湿法去除后的SiO2层为掩膜，对所述具有注入掩膜的碳化硅外延片结构进行离子注入工艺，形成具有注入结的碳化硅外延片结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西电芜湖研究院有限责任公司 一种碳化硅的注入结形成方法及碳化硅注入结结构

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