申请/专利权人：重庆康佳光电科技有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810073A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种蚀刻装置及控制方法。蚀刻装置利用离子源对晶圆进行轰击，蚀刻装置包括壳体、安装座、电路装置、感测装置及控制器。壳体内设置有反应腔。安装座设于反应腔内，安装座的顶部设有晶圆载盘，晶圆载盘的顶部设有用于容置晶圆的多个晶圆槽。电路装置包括相互电连接的可调电源及调整电路，调整电路在连通时产生电场，电场会使正离子受到电场力，排斥或吸引正离子朝向晶圆载盘轰击，从而调整等离子体与蚀刻膜层的反应速率。感测装置可感测晶圆载盘上安装的晶圆的数量。控制器根据感测装置感测到的晶圆数量，调节可调电源的输出电压，从而调整调整电路对等离子体中正离子的排斥或吸引的力度，避免蚀刻速率过快或过慢。

主权项：1.一种蚀刻装置，利用离子源对晶圆进行轰击，其特征在于，所述蚀刻装置包括：壳体，内部设置有反应腔；安装座，设于所述反应腔内，所述安装座的顶部设有晶圆载盘，所述晶圆载盘的顶部设有用于容置所述晶圆的多个晶圆槽；电路装置，设于所述安装座，所述电路装置包括可调电源及调整电路，所述可调电源与所述调整电路电连接；所述调整电路被配置为排斥或吸引施加于所述晶圆的离子源；感测装置，安装于所述安装座，所述感测装置用于感测所述晶圆载盘上安装的所述晶圆的数量；以及，控制器，分别与所述可调电源及所述感测装置电连接，所述控制器用于根据所述感测装置感测到的所述晶圆载盘上安装的所述晶圆的数量，调节所述可调电源的输出电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆康佳光电科技有限公司 蚀刻装置及控制方法

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