申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810322A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种LED外延结构、LED芯片和发光装置，该LED外延结构包括自下而上叠置的衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，有源层包括n对阱层与垒层的组合。阱层的结构材料为AlX1Ga1‑X1Y1In1‑Y1P，垒层的结构材料为AlX2Ga1‑X2Y2In1‑Y2P，相对于现有技术方案，本申请将阱层及垒层的In含量同步进行降低，因阱层与垒层之间仍然保持着一定的In含量差异，也就保证了阱层的压应力，不会对发光效率造成影响。同时，降低的In含量又缩减了阱层与衬底之间晶格常数的差异，减少位错等缺陷的产生，提升外延层的晶体质量。采用本申请的有源层设计后，不仅使得外延片边缘暗亮线大幅收敛，还使得LED芯片有5％‑10％的亮度提升。

主权项：1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括自下而上叠置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述有源层包括n个层对，每个层对包括阱层与垒层的组合；所述阱层的结构材料为AlX1Ga1-X1Y1In1-Y1P，0.4≤Y1≤0.5≤1-Y1≤1；垒层的结构材料为AlX2Ga1-X2Y2In1-Y2P，0.4≤1-Y2≤0.5≤Y2≤0.6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 一种LED外延结构、LED芯片和发光装置

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