申请/专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810076A

主分类号：H01L21/308

分类号：H01L21/308;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种深槽隔离刻蚀的方法及设备，其包括：提供待深槽刻蚀的基体；对上述的阻挡层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通所述阻挡层的阻挡层窗口，通过所得到的阻挡层窗口使得阻挡层下方的氧化层露出；基于上述的阻挡层以及阻挡层窗口，利用CCP机台对氧化层进行刻蚀，以刻蚀得到与阻挡层窗口对应的沟槽刻蚀窗口，所述沟槽刻蚀窗口贯通阻挡层以及氧化层，以通过沟槽刻蚀窗口使得衬底的表面露出；基于上述的氧化层、阻挡层以及沟槽刻蚀窗口，利用ICP机台对衬底进行沟槽刻蚀，以得到与沟槽刻蚀窗口对应的深沟槽。本发明能有效实现深槽刻蚀，提高深槽隔离技术的适应范围，降低深槽隔离技术的成本，与现有的工艺设备兼容。

主权项：1.一种深槽隔离刻蚀的方法，其特征是，所述方法包括：提供待深槽刻蚀的基体，其中，所述基体包括衬底、设置于所述衬底上的氧化层以及设置于氧化层上的阻挡层；对上述的阻挡层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通所述阻挡层的阻挡层窗口，通过所得到的阻挡层窗口使得阻挡层下方的氧化层露出；基于上述的阻挡层以及阻挡层窗口，利用CCP机台对氧化层进行刻蚀，以刻蚀得到与阻挡层窗口对应的沟槽刻蚀窗口，所述沟槽刻蚀窗口贯通阻挡层以及氧化层，以通过沟槽刻蚀窗口使得衬底的表面露出；基于上述的氧化层、阻挡层以及沟槽刻蚀窗口，利用ICP机台对衬底进行沟槽刻蚀，以得到与沟槽刻蚀窗口对应的深沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏卓胜微电子股份有限公司 深槽隔离刻蚀的方法及设备

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