申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;北京知识产权运营管理有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810261A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种底部非对称介质隔离的围栅器件及制备方法。围栅器件：衬底；设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部；其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源极和漏极，分别位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧；源极与环绕式栅极之间，以及漏极与环绕式栅极之间都设置侧墙；所述纳米片堆栈部与所述衬底之间通过介质层隔离，以及所述源极和所述漏极的其中一个与所述衬底之间通过介质层隔离，另一极与所述衬底之间直接连接。本发明在围栅器件底部利用绝缘介质形成非对称介质隔离结构，从而增加围栅器件自热效应严重区域的散热路径，并有效抑制底部寄生沟道漏电。

主权项：1.一种底部非对称介质隔离的围栅器件，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部；其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源极和漏极，分别位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧；源极与环绕式栅极之间，以及漏极与环绕式栅极之间都设置侧墙；所述纳米片堆栈部与所述衬底之间通过介质层隔离，以及所述源极和所述漏极的其中一个与所述衬底之间通过介质层隔离，另一极与所述衬底之间直接连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;北京知识产权运营管理有限公司 一种底部非对称介质隔离的围栅器件及制备方法

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