申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117797838A

主分类号：B01J27/132

分类号：B01J27/132;B01J35/39;B01J35/40;B01J35/45;B01J35/50;B01J37/10;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种在WO3纳米棒上原位生长Cs3Bi2I9纳米颗粒的异质结光催化剂及其制备方法和应用，属于催化剂制备技术领域。本发明将WO3纳米棒与BiI3、油酸和油胺溶于正十八烯溶液，热注入Cs的前驱体溶液进行反应，用冷水浴快速冷却降温，制得Cs3Bi2I9纳米颗粒原位生长在WO3纳米棒上的异质结，此过程形成的异质结为原位生长，异质结界面结合更稳定，电子空穴分离传输速率更高，极大地提高了催化剂的活性和稳定性。因此，本发明的方法能够有效解决现有技术存在的异质结界面阻力较大、活性较低、稳定性差的技术难题。

主权项：1.一种在WO3纳米棒上原位生长Cs3Bi2I9纳米颗粒的异质结光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将WO3纳米棒、BiI3、油酸和油胺溶于正十八烯溶液中，在真空状态下于100℃～120℃下反应1h～2h；2在氮气气氛下，向步骤1的反应体系中热注入Cs前驱体溶液，于150℃～200℃继续反应1min～2min，冷却后，在WO3纳米棒上原位生长制得Cs3Bi2I9纳米颗粒的异质结光催化剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 WO₃纳米棒上原位生长Cs₃Bi₂I₉纳米颗粒的异质结光催化剂及制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD