申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810256A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;C23C28/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种器件结构、器件的加工方法和封装方法。该器件结构中，在顶层金属层上设置有具备开口的中间层，使得该中间层所承受的应力可通过开口得以释放，实现应力缓冲或者应力阻挡的作用，以缓冲或者阻挡来自中间层上方的膜层应力。同时，本发明中将传统的厚度较厚的化学镀金属层拆分为厚度较薄的溅射金属层和化学镀金属层，不仅可降低各个金属膜层的内应力，并且也更容易完成压应力层和拉应力层的应力匹配，实现接近零应力的金属膜层结构。如此，即可有效降低该器件结构在封装过程中容易引起其金属膜层发生开裂的风险，改善金属膜层产生裂纹、发生较大形变的问题，保证封装模块的高可靠性和耐久性。

主权项：1.一种器件结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的顶表面上形成有顶层金属层；中间层，形成在所述顶层金属层上，并且所述中间层内形成有开口；溅射金属层，覆盖所述中间层并填充所述开口；以及，化学镀金属层，形成在所述溅射金属层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 器件结构、器件的加工方法和封装方法

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