申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810054A

主分类号：H01J37/244

分类号：H01J37/244;H01J37/317;H01L21/265;G01R33/02;G01N27/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供了一种离子束质谱分析装置、离子注入装置及方法、控制过滤磁场的磁通量的方法，本申请在离子束质谱分析装置的基座和质谱分析部之间设置绝缘衬套，并在质谱分析部的侧壁经导线连接至电流监测装置。当离子束质谱分析装置伸入离子生产腔体中时，绝缘衬套将离子束质谱分析单元与离子注入腔体的侧壁绝缘，由此实现二者完全绝缘隔离。质谱分析部的侧壁上接收到的被过滤磁场过滤掉的非制程离子。该非制程离子由导线中和并由电流监测装置测量该电流值，该电流值直接对应被过滤磁场偏转掉的杂质离子，因此电流最小值随对应的磁通量值或者磁通量范围即为通过离子生成腔体的狭缝的最大离子束对应的过滤磁场的磁场值或磁场范围。

主权项：1.一种离子束质谱分析装置，所述质谱分析装置102设置在离子注入装置中以分析离子注入装置中的离子通过量，其特征在于，包括：基座1021以及与所述基座1021连接的质谱分析部1022，所述质谱分析部1022伸入至所述离子注入装置的离子生成腔体101；绝缘衬套104，设置在所述基座1021与所述质谱分析部1022的连接处，当所述质谱分析部1022伸入至所述离子生成腔体101中时，所述绝缘衬套104绝缘隔离所述质谱分析装置102和所述离子生成腔体101；电流监测装置103，连通至所述质谱分析部1022的侧壁，以接收并检测打在所述质谱分析部1022的侧壁上的杂质离子所产生的电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 离子束分析装置、离子注入装置及方法、磁通量控制方法

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