申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811557A

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种单片集成电流变化率主动控制结构的SiCMOSFET及控制方法，包括多个串联的元胞，元胞包括PowerFET、SenseFET及下拉NMOS，下拉NMOS的漏极与SiCMOSFET的栅极短接，下拉NMOS的源极与SiCMOSFET的源极短接，下拉NMOS外接有高频电感Ls，以形成电流变化率didt检测单元，SenseFET具有电压Vs，使得通过监测电压Vs可准确提取出SiCMOSFET器件电流变化率didt；Vs为下拉NMOS的栅极输入电压，下拉NMOS具有导通电阻Rs，SiCMOSFET具有栅极驱动电阻Rg，导通电阻Rs与栅极驱动电阻Rg串联，导通电阻Rs为可调控大小，下拉NMOS具有漏源电压VDS，PowerFET具有栅源电压VGS，漏源电压VDS等于栅源电压VGS，使得构建单片集成的didt检测和控制电路，实现了对SiCMOSFET开关过程中didt的主动调控。

主权项：1.一种单片集成电流变化率主动控制结构的SiCMOSFET，包括多个串联的元胞，其特征在于，所述元胞包括PowerFET、SenseFET及下拉NMOS，所述PowerFET和所述SenseFET结构相同并且电流变化率didt与面积比列成正比关系，所述下拉NMOS的漏极与所述SiCMOSFET的栅极短接，所述下拉NMOS的源极与所述SiCMOSFET的源极短接，所述下拉NMOS外接有高频电感Ls，以形成电流变化率didt检测单元，使得通过SenseFET获取SiCMOSFET实时的电流变化率didt，所述SenseFET具有电压Vs，所述电压Vs＝＝Ls*didt，使得通过监测电压Vs可准确提取出SiCMOSFET器件电流变化率didt；所述Vs为下拉NMOS的栅极输入电压，所述下拉NMOS具有导通电阻Rs，所述SiCMOSFET具有栅极驱动电阻Rg，所述导通电阻Rs与栅极驱动电阻Rg串联，所述导通电阻Rs为可调控大小，所述下拉NMOS具有漏源电压VDS，所述PowerFET具有栅源电压VGS，所述漏源电压VDS等于栅源电压VGS，使得构建单片集成的didt检测和控制电路，实现了对SiCMOSFET开关过程中didt的主动调控。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种单片集成电流变化率主动控制结构的SiC MOSFET及控制方法

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