申请/专利权人：深圳市奥宇达电子有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811528A

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02;H03H9/19

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种石英晶体谐振器制备方法，包括以下步骤：S1.胚料准备：备好二氧化硅颗粒物20‑50份、导电树脂胶5‑12份、银丝15‑30份、铜合金10‑20份、陶瓷5‑20份、绝缘胶2‑8份；S2.提纯：将二氧化硅颗粒物进行煅烧水淬处理，而后投入至磁选设备中磁选，后将二氧化硅焙烧，经冷却水碎后浮选，最后酸浸除杂，得到二氧化硅纯料，S3.粗细加工：二氧化硅纯料使用倒圆设备磨圆外棱角，通过精磨设备将二氧化硅纯料研磨，本发明的二氧化硅在制备过后，利用离子束刻蚀的束源在二氧化硅晶片上进行刻蚀，通过调节刻蚀的夹角，将石英晶体谐振器晶体的均匀性改变，制成薄片的晶体均匀度提高，较薄晶体将频率提升，而均匀性改变后稳定的振荡频率使信号准确的传输。

主权项：1.一种石英晶体谐振器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.胚料准备：备好二氧化硅颗粒物20-50份、导电树脂胶5-12份、银丝15-30份、铜合金10-20份、陶瓷5-20份、绝缘胶2-8份；S2.提纯：将二氧化硅颗粒物进行煅烧水淬处理，而后投入至磁选设备中磁选，后将二氧化硅焙烧，经冷却水碎后浮选，最后酸浸除杂，得到二氧化硅纯料；S3.粗细加工：二氧化硅纯料使用倒圆设备磨圆外棱角，通过精磨设备将二氧化硅纯料研磨，再利用打薄设备将二氧化硅纯料制成薄片，得到晶片1；S4.微调频：将银丝高温熔化，使晶片1浸入熔化银丝中包覆，晶片1的表面得到银层5，利用离子束刻蚀的束源在晶片1表面刻蚀并保持一定刻蚀角度，其中，离子束束源和晶片1之间的刻蚀固定夹角设定为h，所得到晶片1表面均匀平整值为e，均匀平整值为e的公式为： 公式中，刻蚀的总深度为k，刻蚀测试点数量为a，当30°≤h≤35°时，e的数值高，当h≥35°时，e的数值低；S5.导电点胶：并将铜合金切割得到电极4，使用导电树脂胶点胶在晶片1和电极4之间，导电树脂胶点胶形成导电胶7；S6.辅助处理：将陶瓷切割后，通过铣削设备制成基座3，在基座3中灌入绝缘胶，形成绝缘垫8，并将电极4插设至绝缘垫8内；S7.氮气防护：在铜合金料中开槽，形成装设腔6，装设腔6中通入氮气，得到外壳2，再将外壳2焊接在基座3上；S8.漏检：使用超声波检漏仪将外壳2内部的气体泄露情况检测，防止外壳2中的泄露。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市奥宇达电子有限公司 一种石英晶体谐振器制备方法

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