申请/专利权人：成都电科星拓科技有限公司

申请日：2024-02-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811584A

主分类号：H03M1/78

分类号：H03M1/78;H03M1/80;H03K17/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种数模转换器。为平衡数模转换器精度和硅面积，本发明中的数模转换器包括NMOS开关和PMOS开关，其中NMOS开关的源极和衬底接地电平，栅极受控于第一NMOS开关栅极控制信号；PMOS开关的漏极连接参考电压，栅极受控于第一PMOS开关栅极控制信号；当PMOS开关导通时，PMOS开关的衬底连接参考电压；当PMOS开关关闭时，PMOS开关的衬底连接电源电压。本发明以动态控制PMOS开关衬底电压，以及动态控制第一NMOS开关栅极控制信号和第一PMOS开关栅极控制信号为技术手段，实现了NMOS开关和PMOS开关导通电阻之间的精准匹配，为宽供电电压范围的MCU设计DAC时更加容易实现开关面积和DAC精度的折中。

主权项：1.一种数模转换器，具有包括若干第一电阻和若干第二电阻的R-2R电阻网络结构、NMOS开关和PMOS开关，所述第二电阻的阻值是所述第一电阻的阻值的两倍，其特征在于：所述NMOS开关的漏极连接数模转换器中第二电阻的第一端，源极和衬底接地电平，栅极受控于第一NMOS开关栅极控制信号；所述PMOS开关的漏极连接参考电压，源极连接数模转换器中第二电阻的第一端，栅极受控于第一PMOS开关栅极控制信号；当所述PMOS开关导通时，PMOS开关的衬底连接参考电压；当所述PMOS开关关闭时，PMOS开关的衬底连接电源电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都电科星拓科技有限公司 数模转换器

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