申请/专利权人：南京国博电子股份有限公司

申请日：2021-07-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113594152B

主分类号：H01L25/16

分类号：H01L25/16;H01L23/31;H01L23/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本发明公开了一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块，包括由上至下依次连接的驱动器电路层、细节距微凸点垂直传输层和大电流PMOS管电路层。在Z轴方向上集成了大电流PMOS管芯片和驱动器芯片，通过细节距微凸点垂直传输层实现二者的互联，能够通过外部的高低电平信号实现对射频组件中放大器的电源调制。本发明可应用于微波组件中各类放大器的电源调制方案中，具有高集成、小型化和低成本等优势。

主权项：1.一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块，其特征在于：包括由上至下依次连接的驱动器电路层、细节距微凸点垂直传输层和大电流PMOS管电路层；所述驱动器电路层采用晶圆级Fan-Out工艺对PMOS管前级的驱动器芯片进行封装，集成逻辑门数字电路，将外部输入的一组或者多组电平信号进行逻辑运算后输入到大电流PMOS管的栅极；所述细节距微凸点垂直传输层包括矩形分布的微凸点阵列，微凸点的形状包括球栅阵列和Bump，采用回流焊工艺集成封装，并在微凸点之间填充绝缘胶；所述大电流PMOS管电路层对大电流PMOS管、电阻和电容进行封装，通过通孔实现大电流PMOS管电路层中正面至底部信号的垂直传输，在大电流PMOS管电路层底部设置对外输出端口；对于所述晶圆级Fan-Out工艺，采用硅或者有机塑材覆盖驱动器芯片表面，驱动器芯片表面的再布线层数≥3；所述对外输出端口采用焊盘式的表贴端口；所述焊盘式的表贴端口的焊盘材料体系为铜镍钯金或者铜镍金；所述Bump的材料体系为铜镍锡银，直径为100um；当大电流PMOS管的栅极是高电平信号时，大电流PMOS管的漏极与源极关闭；当大电流PMOS管的栅极是低电平信号时，大电流PMOS管漏极与源极打开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京国博电子股份有限公司 一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块

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