申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-22

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117597785A

主分类号：H01L29/45

分类号：H01L29/45;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/786;H01L29/417

优先权：["20211222 US 17/559,332"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：论述了与n型和p型源极和漏极半导体的选择性金属接触部相关的互补金属‑氧化物‑半导体CMOS器件和方法。在n型和p型源极漏极上沉积p型金属。p型金属被从n型源极漏极选择性去除，但保留在与n型源极漏极相邻的电介质材料上。在n型源极漏极上沉积n型金属，而保留的p型金属密封电介质材料以保护n型金属免受污染。然后使用另一种p型金属密封n型金属。接触部填充材料接触所得的源极和漏极接触部堆叠体。

主权项：1.一种晶体管结构，包括：源极区、漏极区和处于所述源极区与所述漏极区之间的栅极结构，其中，所述源极区和所述漏极区包括n型半导体材料；电介质材料，所述电介质材料包括与所述源极区相邻的侧壁；第一金属层，所述第一金属层在所述电介质材料的所述侧壁的至少一部分上，所述第一金属层包括第一p型金属；第二金属层，所述第二金属层在所述源极区的所述顶表面上，所述第二金属层包括n型金属；第三金属层，所述第三金属层在所述第二金属层上，所述第三金属层包括第二p型金属；以及金属填充物，所述金属填充物在所述第三金属层上，并且在与所述侧壁的所述部分横向相邻的区域中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 用于集成NMOS和PMOS晶体管的低电阻金属到半导体接触部

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