申请/专利权人：深圳市万泽中南研究院有限公司

申请日：2023-11-17

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117809759A

主分类号：G16C20/10

分类号：G16C20/10;C21D11/00;G06F30/23;G01N25/00;G01N33/20;G01N25/02;G06F119/08

优先权：["20230707 CN 2023108379867"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请涉及一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法,该方法包括：获取与待预测件成分和组织类似的试样件进行恒温晶粒长大实验，获得实验后的晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采用所有实验晶粒尺寸数据拟合受饱和晶粒尺寸控制的晶粒长大方程的待定参数；利用有限元软件对待预测件的热处理过程进行模拟，将模拟得到的温度变化历史数据输入晶粒长大模型预测晶粒尺寸。该受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法，解决了传统晶粒生长模型中晶粒无限长大的问题，实现了热处理过程中晶粒生长的准确预测。

主权项：1.一种受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法，其特征在于，包括：获取与待预测件相同成分和组织的试样件进行不同温度不同保温时间的恒温晶粒长大实验，获得实验晶粒尺寸数据；根据所述实验中每个温度下预设保温时间的实验晶粒尺寸数据拟合得到饱和晶粒尺寸方程的待定参数；采用所有实验晶粒尺寸数据拟合受饱和晶粒尺寸控制的晶粒长大方程的待定参数；利用有限元软件对待预测件的热处理过程进行模拟，将模拟得到的温度变化历史数据输入晶粒长大模型预测晶粒尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市万泽中南研究院有限公司 受饱和晶粒尺寸控制的合金晶粒生长预测方法

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