申请/专利权人：上海概伦电子股份有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117807944A

主分类号：G06F30/373

分类号：G06F30/373;G06F30/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开一种应用于高压器件源漏对称的建模方法，包括以下步骤：在BSIM仿真模型基础上，构建压控电阻的函数和自加热电流反馈源以进行高压模型仿真优化；在漏极以栅漏电压Vg,d和漏到中间节点电压Vd,n11为变量；在源极以栅源电压Vg,s和源到中间节点电压Vs,n22为变量；对于自加热电流反馈源，同时使用漏到中间节点电压Vd,n11、源到中间节点的电压Vs,n22、核心MOSFET源漏电压Vn11,n22为变量。本申请针对压控电阻和自加热电流反馈源设置新的函数，源漏互换后源漏两侧电阻数值互换，电流反馈源数值不变，实现源漏互换后电流完全对称。

主权项：1.一种应用于高压器件源漏对称的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：在BSIM仿真模型基础上，构建压控电阻和自加热电流反馈源的函数以进行高压模型仿真优化；在漏极以栅漏电压Vg,d和漏到中间节点电压Vd,n11为变量；在源极以栅源电压Vg,s和源到中间节点电压Vs,n22为变量；对于自加热电流反馈源，同时使用漏到中间节点电压Vd,n11、源到中间节点的电压Vs,n22、核心MOSFET源漏电压Vn11,n22为变量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海概伦电子股份有限公司 一种应用于高压器件源漏对称的建模方法及系统

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