申请/专利权人：杭州美迪凯光电科技股份有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117798752A

主分类号：B24B1/00

分类号：B24B1/00;C30B33/10

优先权：["20231218 CN 2023117426759"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种极薄基板的抛光加工工艺。本发明工艺通过将线切割、研磨、粗抛、修抛工艺结合腐蚀工艺，控制好腐蚀时间、温度，就能控制抛光片的厚度，且不会造成粗糙度改变，实现压电水晶做到极薄厚度不破碎，且表面粗糙度小于1nm以内，水晶基板厚度可以做到60μm以下。

主权项：1.一种极薄基板的抛光加工工艺，其特征是，其工艺步骤为：S1、线切割：选取水晶基板，通过线切割切割水晶，得到需要的产品尺寸+0.12mm预留研磨抛光加工厚度的水晶；S2、研磨：对完成线切割的水晶进行研磨，研磨后为抛光预留0.007mm-0.02mm的加工厚度；S3、粗抛：使用抛光机对研磨后的水晶进行粗抛，粗抛后将水晶表面粗糙度抛光至1.5nm以下，并得到50μm-100μm厚度的水晶；S4、修抛：使用抛光机对粗抛后的水晶进行修抛，修抛后将水晶表面粗糙度抛光至1nm以下；S5、腐蚀：将蚀刻后的水晶放入腐蚀机的腐蚀槽内，腐蚀槽内的腐蚀液浸泡水晶，腐蚀槽内设置有上下升降平台，水晶放在腐蚀槽内升降平台上，升降平台在腐蚀液浸泡水晶的工作过程中匀速上下升降移动，将蚀刻后的水晶厚度腐蚀至0μm-60μm；S6、清洗：将腐蚀后的水晶放入清洗槽进行清洗，去除残留腐蚀液，得到极薄的水晶基板，完成整个极薄基板的抛光加工工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 一种极薄基板的抛光加工工艺

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