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【发明授权】磁传感器_TDK株式会社_202011346355.8 

申请/专利权人:TDK株式会社

申请日:2020-11-26

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN112858964B

主分类号:G01R33/09

分类号:G01R33/09

优先权:["20191127 JP 2019-214275"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要:磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个MR元件中的与该导体部分对应的MR元件的位置,并且沿着以在远离对应的MR元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

主权项:1.一种磁传感器,其特征在于:具有:电阻值与外部磁场相应地变化的至少一个磁阻效应元件;产生线圈磁场的线圈,所述线圈磁场是用于施加于所述至少一个磁阻效应元件的磁场;和支承所述至少一个磁阻效应元件的支承部件,所述支承部件具有与所述至少一个磁阻效应元件对置的上表面和位于与所述上表面相反侧的下表面,所述线圈包含至少一个导体部分,所述线圈磁场包含由所述至少一个导体部分各自产生的部分磁场,所述至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的所述部分磁场能够施加于所述至少一个磁阻效应元件中的与该导体部分对应的磁阻效应元件的位置,所述至少一个导体部分的各个,沿着以在远离所述对应的磁阻效应元件和所述支承部件的所述下表面的各个的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TDK株式会社 磁传感器

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