申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-06-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116716655B

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.09.26#实质审查的生效;2023.09.08#公开

摘要：本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置内设置有用于引导气相长晶组分流向籽晶的环形导流板，环形导流板上设置有均压结构，通过在环形导流板上设置该均压结构，可以有效减小环形导流板上方的第二腔室和下方的第一腔室的压差，使两个腔室的压力尽量接近，这样就可以有效降低气相长晶组分在环形导流板顶端和籽晶边缘之间的间隙处的流速，从而使得籽晶边缘的碳化硅晶体的生长速度与籽晶中心的碳化硅晶体的生长速度尽可能相同，进而避免生长在籽晶上的碳化硅晶体出现“凹界面”等缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。本方法制备的碳化硅晶体具有缺陷少，质量高的特点。

主权项：1.一种生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括：坩埚100，所述坩埚100的顶壁设置有用于生长碳化硅晶体400的籽晶110；环形导流板200，所述环形导流板200设置于所述坩埚100内，所述环形导流板200的底端连接于所述坩埚100的侧壁，顶端向所述籽晶110延伸且与所述籽晶110的边缘之间具有间隙106，所述环形导流板200、所述籽晶110、所述坩埚100的侧壁、所述坩埚100的底壁共同围成第一腔室102，所述环形导流板200、所述籽晶110、所述坩埚100的侧壁及所述坩埚100的顶壁共同围成第二腔室104，所述第一腔室102和所述第二腔室104通过所述间隙106连通，所述环形导流板200上设置有用于平衡所述第一腔室102和所述第二腔室104压力的均压结构；所述均压结构包括开设于所述环形导流板200上的气孔212，所述气孔212连通所述第一腔室102和所述第二腔室104，所述环形导流板200包括呈夹角连接的第一环形部210和第二环形部220，所述第一环形部210远离所述第二环形部220的一端与所述坩埚100的内壁连接，所述第二环形部220远离所述第一环形部210的一端向所述籽晶110延伸，所述气孔212开设于所述第一环形部210。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威微电子有限公司 生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体

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