申请/专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

申请日：2020-12-03

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112447561B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/68

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2021.03.05#公开

摘要：本申请涉及一种真空键合装置，其包括：真空腔室；设置在所述真空腔室内的承载台，以用于装载晶片和键合基底；以及，设置在所述真空腔室内键合治具，所述键合治具包括键合组件、定位组件和限位组件，以分别对所述晶片和键合基底进行键合、定位和限位。该真空键合装置，能解决晶片和键合基底对齐精度的问题，同时，在抽取旗标过程中，不会使晶片和键合基底受力偏移。

主权项：1.一种真空键合装置，其特征在于，包括：真空腔室；设置在所述真空腔室内的承载台，以用于装载晶片和键合基底；以及，设置在所述真空腔室内键合治具，所述键合治具包括键合组件、定位组件和限位组件，以分别对所述晶片和键合基底进行键合、定位和限位；所述定位组件抵持所述晶片和键合基底，以使所述晶片和键合基底对齐；所述定位组件被配置成与所述晶片的平边结构相适应；所述限位组件连接所述晶片和键合基底以限制所述晶片和键合基底在水平方向上移动；所述限位组件包括可拆卸分别连接所述晶片和键合基底的第一连接槽和第二连接槽，所述第一连接槽和第二连接槽上开设有限位槽，所述限位槽内安装有限位杆；设有至少两组所述限位组件，两组所述限位组件分别设置在所述晶片和键合基底的左右两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 真空键合装置

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