申请/专利权人：重庆大学

申请日：2022-11-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115895876B

主分类号：C12M1/42

分类号：C12M1/42;C12M3/00;C12M1/36;C23F1/02;G03F7/30;G03F7/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本发明涉及细胞电融合芯片领域，公开了一种基于双侧流场配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法，细胞电融合芯片装置包括图案化ITO叉指电极层和流路控制模块，图案化ITO叉指电极层连接有外细胞电融合仪，图案化ITO叉指电极层包括依次设置的基底层、ITO电极层和PDMS双侧流场配对结构层，PDMS双侧流场配对结构层包括双侧流场配对结构和通道，且双侧流场配对结构和通道对称设置。本发明能够实现细胞的高效电融合。

主权项：1.一种基于双侧流场配对结构阵列的细胞电融合芯片装置，其特征在于：包括图案化ITO叉指电极层和流路控制模块，所述图案化ITO叉指电极层连接有外细胞电融合仪，图案化ITO叉指电极层包括依次设置的基底层、ITO电极层和PDMS双侧流场配对结构层，所述ITO电极层上设置有叉指电极阵列，叉指电极阵列整体呈梳齿结构，且叉指电极阵列包括若干叉指电极；所述PDMS双侧流场配对结构层包括双侧流场配对结构和通道，且双侧流场配对结构和通道均设置有多个并呈双侧对称设置，所述通道呈蛇形结构，通道内设置有若干重复捕获单元，重复捕获单元均包括蛇行通道段、捕获位点结构和流阻调节微通道，所述捕获位点结构为圆形结构，捕获位点结构均设置有开口，用于实现双侧通道的连通，构成一对配对结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种基于双侧流场配对结构阵列的细胞电融合芯片装置及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD