申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117457602B

主分类号：H01L23/467

分类号：H01L23/467;H01L23/473

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种高热流芯片封装结构及其服役温度实时调控方法，属于芯片散热技术领域，在顶盖与硅基层上刻蚀微通道，使微通道布置在芯片两侧，在微通道内可以注入冷却工质，对功能芯片进行双面冷却。同时在芯片上方布置风扇，利用风冷与微通道液冷相结合的散热方式，实现多级调控，满足了功能芯片在不同服役工况下对不同散热的需求。

主权项：1.一种高热流芯片封装结构，其特征在于，包括顶盖（1）、存储芯片（2）、逻辑芯片（3）和基板（11），所述基板（11）上设置有顶盖（1）和密封层（8），密封层（8）位于顶盖（1）内，密封层（8）上设置有硅基层（7），硅基层（7）底部开设有若干下层微通道（701），硅基层（7）外套装有硅基盖板（9）；所述硅基层（7）上设置有布线层（6），存储芯片（2）、逻辑芯片（3）并排设置在布线层（6）上，硅基层（7）内开设有若干硅通孔（702），硅通孔（702）贯穿布线层（6），每个相邻硅通孔（702）之间开设一条下层微通道（701）；所述顶盖（1）顶部内侧面上开设有若干上层微通道（103），顶盖（1）顶部内侧面上盖合有盖片（104），盖片（104）另一面与存储芯片（2）、逻辑芯片（3）顶部接触；将微通道与功能芯片一同封装，减少了额外加装微通道的必要，减小了散热结构的尺寸大小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种高热流芯片封装结构及其服役温度实时调控方法

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