申请/专利权人：国科大杭州高等研究院

申请日：2022-03-25

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114784128B

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/10;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明提供的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路。本发明的一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑太赫兹光电探测器及其制备方法构造出的亚波长金属蝶形天线结构，利用入射的光子耦合到拓扑材料表面，以增强入射的电磁波与碲化锑材料的相互作用，太赫兹波引起的局部表面等离子体场的不对称散射增强探测器的源漏电流，实现了室温高灵敏的太赫兹宽谱光电探测，大幅度提高了器件在太赫兹波段探测能力与信噪比。

主权项：1.一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑光电探测器，其特征在于：自下而上依次设置本征高阻硅衬底、二氧化硅层和碲化锑层，在碲化锑层两端是源、漏金属电极，源、漏电极与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路；所述的衬底是本征高阻硅，其电阻率为10000Ω·cm，厚度为500μm；覆盖其上的是二氧化硅层，厚度为300nm；所述的碲化锑为薄层材料，厚度为80~90nm；所述的源、漏电极为金属复合电极，包括铬电极和金电极，整体大小为220μm×140μm，下层金属为铬，作为粘附层，厚度是5nm，上层金属为金，厚度是50nm；相应的引线电极，厚度为200~400nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种基于蝶形天线结构的拓扑增强型碲化锑太赫兹光电探测器及其制备方法

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