申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-07-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220711353U

主分类号：H02M5/293

分类号：H02M5/293

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了一种可控硅调压装置，涉及调压装置技术领域，其包括晶闸管，所述晶闸管接入控制电路中，所述晶闸管之间适配有电阻、电容器、双向二极管。该可控硅调压装置，通过以可控硅元件为基础，设计装置电路降压，实现可控硅交流调压的功能，利用可控硅调压使得装置电压从220V降低到36V，依然具有良好的除垢效果，并且有效的保证了使用人员的使用安全。

主权项：1.一种可控硅调压装置，其特征在于：包括晶闸管1，所述晶闸管1接入控制电路2中，所述晶闸管1与控制电路2之间适配有电阻、电容器、双向二极管，所述电阻电连接电容器，所述电容器电连接双向二极管，所述可控硅调压装置的电压调压后控制在36V。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 一种可控硅调压装置

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