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【实用新型】电磁屏蔽结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202322109723.2 

申请/专利权人:甬矽电子(宁波)股份有限公司

申请日:2023-08-07

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN220710314U

主分类号:H01L23/552

分类号:H01L23/552

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权

摘要:本公开提供的一种电磁屏蔽结构,涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构包括衬底、第一电子器件、屏蔽阻隔层、增强屏蔽层、塑封体和金属层,衬底上设有接地焊盘,第一电子器件设于衬底上,且与衬底电连接。第一电子器件位于屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内;屏蔽阻隔层设有转角部;增强屏蔽层设于转角部,增强屏蔽层电连接于接地焊盘;塑封体设于衬底上,且包覆第一电子器件、屏蔽阻隔层和增强屏蔽层;金属层设于塑封体上,金属层分别与屏蔽阻隔层和增强屏蔽层电连接。该结构电磁屏蔽效果好,可有效防止杂波干扰。

主权项:1.一种电磁屏蔽结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上设有接地焊盘;第一电子器件,所述第一电子器件设于所述衬底上,且与所述衬底电连接;屏蔽阻隔层,所述第一电子器件位于所述屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内;所述屏蔽阻隔层设有转角部;增强屏蔽层,所述增强屏蔽层设于所述转角部,所述增强屏蔽层电连接于所述接地焊盘;塑封体,所述塑封体设于所述衬底上,且包覆所述第一电子器件、所述屏蔽阻隔层和所述增强屏蔽层;金属层,所述金属层设于所述塑封体上,所述金属层分别与所述屏蔽阻隔层和所述增强屏蔽层电连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 甬矽电子(宁波)股份有限公司 电磁屏蔽结构

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