申请/专利权人：安徽芯视佳半导体显示科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858561A

主分类号：H10K59/131

分类号：H10K59/131;H10K59/12;H10K71/00;H10K71/60;G09F9/33

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种改善IR下降的OLED结构，将OLED面板的辅助电极连接VDD电压；在显示像素之间均匀的预留有区域，在该区域通过蒸镀工艺形成CEM层连接辅助电极和公共阴极层。本发明的优点在于：在像素之间通过辅助电极的方式连接至VDD，通过分布的多个开口区域进行辅助电极和VDD电压的施加，同时配合辅助电极较低的面电阻，可以极大降低电压压降带来的IR下降问题，提高显示屏的稳定性和可靠性。

主权项：1.一种改善IR下降的OLED结构，其特征在于：将OLED面板的辅助电极连接VDD电压；在显示像素之间均匀的预留有区域，在该区域通过蒸镀工艺形成CEM层连接辅助电极和公共阴极层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 一种改善IR下降的OLED结构、方法及OLED显示屏

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