申请/专利权人：星钥(珠海)半导体有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855030A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种外延衬底再生方法、系统及外延衬底，包括：对原始晶圆衬底的外延层进行气体刻蚀，获得第一晶圆衬底；对所述第一晶圆衬底进行研磨，去除所述第一晶圆衬底的残余外延层，以获得第二晶圆衬底。本发明仅采用两个步骤，先对外延晶圆进行气体刻蚀，刻蚀气体与外延晶圆的金属发生反应，将气体刻蚀反应生成物随气流被带离出反应腔，在刻蚀气体的刻蚀下外延晶圆表面氧化成氧化金属薄膜，进一步对气体刻蚀后的外延晶圆进行机械抛光，去除残余并修复晶圆衬底表面损伤。本发明步骤工序简单，避免了工序复杂带来的时间成本，且气体刻蚀也有效避免了衬底刮伤，机械抛光能实现修复衬底表面微损伤，本方法快捷高效，且对晶圆衬底伤害极小。

主权项：1.一种外延衬底再生方法，其特征在于，包括：对原始晶圆衬底的外延层进行气体刻蚀，获得第一晶圆衬底；对所述第一晶圆衬底进行研磨，去除所述第一晶圆衬底的残余外延层，以获得第二晶圆衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星钥(珠海)半导体有限公司 一种外延衬底再生方法、系统及外延衬底

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