申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855316A

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107;H01L21/762;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：一种光电探测器及其形成方法，其中，光电探测器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括若干器件区和位于各器件区之间的隔离区；在各所述隔离区内形成深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构与顶部相接的至少部分侧壁与衬底直接接触；在各器件区内形成若干二极管结构；在所述深沟槽隔离结构上形成第一隔离层；在所述第一隔离层上形成第一电阻层。所述光电探测器及其形成方法提升了光电探测器的光子探测效率，降低了暗计数率。

主权项：1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括若干器件区和位于各器件区之间的隔离区；位于所述隔离区的若干深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构与顶部相接的至少部分侧壁与衬底直接接触；位于各器件区内的二极管结构；位于所述深沟槽隔离结构上的第一隔离层；位于所述第一隔离层上的第一电阻层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电探测器及其形成方法

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