申请/专利权人：瑞晟鸿(山东)半导体科技有限公司

申请日：2023-05-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845328A

主分类号：C30B27/02

分类号：C30B27/02;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种利用硅烷气制备单晶硅的方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将硅烷加热分解为硅，并熔化为液体硅；步骤S2、开启单晶炉，使其加热至1400～1425℃；步骤S3、在保温情况下，将液体硅通入单晶炉的石英坩埚中，同时加入掺杂剂，所述掺杂剂由镓粉末和锑粉末组成，镓粉末和锑粉末的质量比为64～65:48～49，所述锑粉末与液体硅料的质量比为12～18:330000，使镓粉末和锑粉末熔入液体硅中；步骤S4、采用连续直拉法或直拉法获得单晶硅。该方法打破现有利用多晶硅制备单晶硅的方式，采用硅烷气作为原料，具有能耗低、周期短、纯度高、控制难度低等优势。

主权项：1.一种利用硅烷气制备单晶硅的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤S1、将硅烷加热分解为硅，并熔化为液体硅；步骤S2、开启单晶炉，使其加热至1400～1425℃；步骤S3、在保温情况下，将液体硅通入单晶炉的石英坩埚中，同时加入掺杂剂，所述掺杂剂由镓粉末和锑粉末组成，镓粉末和锑粉末的质量比为64～65:48～49，所述锑粉末与液体硅料的质量比为12～18:330000，使镓粉末和锑粉末熔入液体硅中；步骤S4、采用连续直拉法或直拉法获得单晶硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑞晟鸿(山东)半导体科技有限公司 一种利用硅烷气制备单晶硅的方法

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