申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2023-09-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855073A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/18;H01L21/268;H01L21/304;H01L21/67

优先权：["20221006 JP 2022-161592"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本发明提供晶片的加工方法和晶片处理装置，在贴合晶片的磨削工序中，抑制器件的破损，并且将外周剩余区域去除。晶片的加工方法包含如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有器件区域和外周剩余区域且外周缘被倒角的第一晶片的一个面与第二晶片贴合，形成贴合晶片；分离层形成步骤，对于第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的区域，按照将激光束的聚光点定位于越靠近外周缘则越靠近一个面的位置的方式照射激光束，由此形成沿着圆锥台的侧面的形状的分离层，该圆锥台从一个面侧朝向另一个面侧具有倾斜；磨削步骤，将第一晶片从另一个面进行磨削而薄化至规定的厚度；以及检测步骤，检测外周剩余区域是否被去除。

主权项：1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有形成有器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域且外周缘进行了倒角的第一晶片的该一个面与第二晶片的一个面贴合，形成贴合晶片；分离层形成步骤，对于该第一晶片的比该外周缘靠内侧规定的距离的区域，按照将激光束的聚光点定位于越靠近该外周缘则越靠近该第一晶片的该一个面的位置的方式照射该激光束，由此形成沿着圆锥台的侧面的形状的分离层，该圆锥台从该第一晶片的该一个面侧朝向另一个面侧具有倾斜；磨削步骤，在实施了该分离层形成步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从该另一个面进行磨削而薄化至规定的厚度；以及检测步骤，在实施该磨削步骤的期间或实施了该磨削步骤之后，检测比该分离层靠该外周缘侧的该外周剩余区域是否被去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 晶片的加工方法和晶片处理装置

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