申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855088A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/311;H01L21/3213

优先权：["20221004 JP 2022-160438","20230927 JP 2023-164185"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：a将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；b在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；c从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；d在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。

主权项：1.一种等离子体处理系统，具备：第一处理腔室，具有第一基板支持部；第二处理腔室，具有第二基板支持部且与所述第一处理腔室不同；搬运腔室，与所述第一处理腔室以及所述第二处理腔室连接且具有搬运装置；以及控制部，所述控制部执行如下处理：a将基板配置在所述第一处理腔室的所述第一基板支持部上，所述基板具备具有凹部的含硅膜和所述含硅膜上的掩模，所述掩模具有露出所述凹部的开口；b在所述第一处理腔室内，在规定所述凹部的所述含硅膜的侧壁上形成含碳膜；c从所述第一处理腔室经由搬运腔室向所述第二处理腔室搬运所述基板，将所述基板配置在所述第二基板支持部上；以及d在所述第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成所述含碳膜的所述凹部的底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法

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