申请/专利权人：江苏远驱科技有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856586A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32;H02P29/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种大功率三相桥MOS管驱动电路，具体涉及电机控制技术领域，包括U1、U2、C1、C2、C3、C4、R1、R2以及MOS1和MOS2；所述U1为一号驱动芯片；所述U2为二号驱动芯片；所述C1为U1驱动电源的去耦电容；所述C2为U1驱动电源的去耦电容；所述C3为U2驱动电源的去耦电容；所述C4为U2驱动电源的去耦电容。本发明可以取消OUTL输出的限流电阻，增大关断控制电流，减少关断时间，同时保留OUTH输出限流电阻，防止短路，并且取消IN+和IN‑之间的电容，加快响应时间，排布时增大OUTL引脚的散热面积，减少大电流导致的过热，只能使用OUTH和OUTL引脚分立封装的器件，增加控制周期，使OUTL两次关断操作的间隔能够使热量和电气结构恢复，防止热击穿和电击穿。

主权项：1.一种大功率三相桥MOS管驱动电路，其特征在于：包括U1、U2、C1、C2、C3、C4、R1、R2以及MOS1和MOS2；所述U1为一号驱动芯片；所述U2为二号驱动芯片；所述C1为U1驱动电源的去耦电容；所述C2为U1驱动电源的去耦电容；所述C3为U2驱动电源的去耦电容；所述C4为U2驱动电源的去耦电容；所述R1为U1的OUTH管脚限流电阻；所述R2为U2的OUTH管脚限流电阻；所述MOS1为需要驱动的一号MOS管；所述MOS2为需要驱动的二号MOS管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏远驱科技有限公司 一种大功率三相桥MOS管驱动电路

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