申请/专利权人：上海康碳复合材料科技有限公司;上海康碳创达新材料科技有限公司

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845216A

主分类号：C23C28/04

分类号：C23C28/04;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/35;C23C16/32;C30B15/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明属于碳复合材料技术领域，具体涉及一种覆有SiC涂层的石墨坩埚及其制备方法和应用。本发明对石墨坩埚的内表面依次进行等离子清洗和磁控溅射沉积Si，得到内覆Si打底层的石墨坩埚；在所述Si打底层表面进行化学气相沉积SiC，得到覆有SiC涂层的石墨坩埚。等离子清洗能活化石墨坩埚表面能，提高后续石墨坩埚与Si打底层和SiC层的结合力，磁控溅射沉积Si在石墨坩埚内表面形成Si打底层也可以提高SiC层与石墨坩埚之间的结合力，使得本发明制备的覆有SiC涂层的石墨坩埚结合力强、具有高温稳定性和高致密度，可防止高温硅液浸渗与石墨坩埚反应，起到保护碳碳坩埚的作用。

主权项：1.一种覆有SiC涂层的石墨坩埚的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对石墨坩埚的内表面依次进行等离子清洗和磁控溅射沉积Si，得到内覆Si打底层的石墨坩埚；在所述内覆Si打底层的石墨坩埚的Si打底层表面进行化学气相沉积SiC，得到覆有SiC涂层的石墨坩埚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海康碳复合材料科技有限公司;上海康碳创达新材料科技有限公司 一种覆有SiC涂层的石墨坩埚及其制备方法和应用

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