申请/专利权人：芯铭半导体(杭州)有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855078A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种深沟槽底部多晶硅电阻率的测试结构及其测试方法，所述测试结构为沟槽电阻器；所述测试结构的沟槽具有一个横向主支以及若干纵向上分支、若干纵向下分支，各纵向上分支、各纵向下分支均匀分布在横向主支纵向两侧、等长、等数量、关于横向主支对称。解决了传统测试结构的痛点，可精确地测量深沟槽底部多晶硅的阻值，继而获知深沟槽底部多晶硅的电阻率，对多晶硅极板阻值的调控以及相关工艺参数的监控具有重要意义。

主权项：1.一种深沟槽底部多晶硅电阻率的测试结构，所述测试结构为沟槽电阻器；其特征在于，所述测试结构的沟槽具有一个横向主支以及若干纵向上分支、若干纵向下分支，各纵向上分支、各纵向下分支均匀分布在横向主支纵向两侧、等长、等数量、关于横向主支对称。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯铭半导体(杭州)有限公司 一种深沟槽底部多晶硅电阻率的测试结构

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