申请/专利权人：青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855314A

主分类号：H01L31/102

分类号：H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种光敏二极管结构及其制作方法，属于半导体制作技术领域。该光敏二极管结构的基础结构包括P电极、P型掺杂区、衬底、截止环、N型掺杂区、氧化环，所述光敏二极管结构还包括包裹所述基础结构的AR层、在所述截止环上方制作的切割道以及在所述N型区上方制作的AR孔，N电极通过该AR孔连接所述N型掺杂区。其中，所述N电极为双层结构，所述N电极的下层的材料确定为与所述AR层的材料粘附能力好的材料。本发明实施例所提供的光敏二极管结构的N电极为两层结构，其下层的材料与AR层材料的粘附能力较好，能够提升N电极与AR层的粘附能力。

主权项：1.一种光敏二极管结构，其特征在于，所述光敏二极管结构的基础结构包括P电极层、P型掺杂区、衬底、截止环、N型掺杂区、氧化环，所述光敏二极管结构还包括包裹所述基础结构的AR层、在所述截止环上方制作的切割道以及在所述N型区上方制作的AR孔，N电极通过该AR孔连接所述N型掺杂区，其中，所述N电极为双层结构，所述N电极的下层的材料确定为与所述AR层的材料粘附能力好的材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司 光敏二极管结构及其制作方法

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