申请/专利权人：京瓷株式会社

申请日：2022-08-24

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117859210A

主分类号：H01L33/32

分类号：H01L33/32;C23C16/04;C30B25/04;H01L21/205;H01L21/301;H01S5/343

优先权：["20210827 JP 2021-139370"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：进行如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部S1的半导体基板11；通过在第1半导体部S1形成多个沟槽TR，来将第1半导体部S1分割成多个基底半导体部8；和在多个基底半导体部8的至少1个的上方形成化合物半导体部9。

主权项：1.一种半导体器件的制造方法，包含如下工序：准备在主基板的上方形成有第1半导体部的半导体基板；将所述第1半导体部分割成多个基底半导体部；和在所述多个基底半导体部的至少1个的上方形成化合物半导体部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京瓷株式会社 半导体器件的制造方法以及制造装置

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