申请/专利权人：比亚迪半导体股份有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855247A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法，元胞结构包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、在第二导电类型的阱区内部或者表面的金属材料区、第二导电类型的注入区、第一导电类型的源极区。本技术方案通过在第二导电类型的阱区内部或者表面设置金属材料区，进而改变了第二导电类型的阱区的电势，同时维持高压功率器件的阈值电压保持不变。

主权项：1.一种元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括：第一导电类型的衬底；所述衬底设有相对的第一表面和第二表面；第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型的漂移区位于在所述第一导电类型的衬底的第一表面上；第二导电类型的阱区，所述第二导电类型的阱区自所述第一导电类型的漂移区表面向所述第一导电类型的漂移区内部延伸，所述第二导电类型的阱区内部或者表面设置金属材料区，所述金属材料区用于调节所述第二导电类型的阱区的功函数；第一导电类型的源极区，所述第一导电类型的源极区自所述第二导电类型的阱区表面向所述第二导电类型的阱区内部延伸，所述第一导电类型的源极区与所述金属材料区之间形成间隔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 比亚迪半导体股份有限公司 电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法

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