申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855823A

主分类号：H01Q1/42

分类号：H01Q1/42;H01Q1/28;H01Q15/00;B23K26/362

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种低剖面多层频率选择表面复材天线罩的制备方法，包括以下步骤：分别热压成型，以形成若干层复材透波基体；处理复材透波基体的表面；在复材透波基体顶面制备激光活化膜；在复材透波基体顶面激光刻蚀；清洗，以去除激光活化膜；在激光刻蚀区域沉积导电金属；对导电层进行激光刻蚀修形；将所有设置有导电层的复材透波基体依次堆叠并热压成型；热压成型，以在最下方复材透波基材的底端和最上方导电层的顶端制备绝缘保护层。本发明能够高效且高质量地制备低剖面多层频率选择表面复材天线罩。

主权项：1.一种低剖面多层频率选择表面复材天线罩的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：分别热压成型，以形成若干层复材透波基体1；步骤S2：处理复材透波基体1的表面，以提高复材透波基体1的表面质量和光洁度；步骤S3：在复材透波基体1顶面制备激光活化膜；步骤S4：在复材透波基体1顶面激光刻蚀，以形成频率选择表面图案状的激光刻蚀区域；步骤S5：清洗，以去除激光活化膜；步骤S6：在激光刻蚀区域沉积导电金属，以使复材透波基体1顶面形成频率选择表面图案状的导电层2；步骤S7：对导电层2进行激光刻蚀修形，以提高导电层2的尺寸精度；步骤S8：将所有设置有导电层2的复材透波基体1依次堆叠并热压成型；步骤S9：热压成型，以在最下方复材透波基材的底端和最上方导电层2的顶端制备绝缘保护层3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 一种低剖面多层频率选择表面复材天线罩的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD