申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2019-01-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110896126B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80;G11C11/16

优先权：["20180913 JP 2018-171462"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.11#著录事项变更;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：实施方式的磁存储装置具备：第1配线；第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，具有较光透过率高的光反射率。

主权项：1.一种磁存储装置，具备：第1配线；第2配线，设置在所述第1配线的上层侧；第3配线，设置在所述第2配线的上层侧；第1存储器单元，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，包含含有磁性层的第1积层构造；第2存储器单元，设置在所述第2配线与所述第3配线之间，包含含有磁性层的第2积层构造；及光反射层，设置在所述第1配线的上层侧且所述第3配线的下层侧，和对于为了将所述第2存储器单元所包含的所述磁性层进行热处理而照射至所述磁性层的光的光透过率相比，具有较高的光反射率；所述第1积层构造及所述第2积层构造分别包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；及非磁性层，设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 磁存储装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD