申请/专利权人：保定通美晶体制造有限责任公司

申请日：2021-08-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113628965B

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要：本发明公开了一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，具体包括以下步骤，步骤一、晶片的初次蚀刻，初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一；步骤二、晶片的打字作业，待加工的晶片送到打字工站，按照设计的打字标识进行打字作业；步骤三、晶片的二次蚀刻，打字结束的晶片重新送回研磨工站，进行第二次蚀刻，且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一。本发明构思巧妙，将研磨的蚀刻作业拆分为两步，消除打字后字沟边缘的隆起，有效的保证了单面抛光晶片蚀刻后背面的表面质量，光滑平整，对于下一步抛光作业时的吸附垫形成保护，有效提高生产效率，降低了维修投入成本，并降低了因返修导致的晶片厚度低于规格下限的风险。

主权项：1.一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺，其特征在于：具体包括以下步骤，步骤一、晶片的初次蚀刻，研磨工站将晶片研磨后送到蚀刻工位，将晶片放置到蚀刻设备的工作台上，初次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一；步骤二、晶片的打字作业，待加工的晶片送到打字工站，在晶片1的背面指定位置且按照设计的打字标识2进行打字作业；步骤三、晶片的二次蚀刻，打字结束的晶片重新送回研磨工站，将晶片放置到蚀刻设备的工作台上，进行第二次蚀刻，且第二次蚀刻量设定为总蚀刻量的二分之一；步骤一和步骤三中，采用的蚀刻用药液的浓度、温度与原工艺相同，蚀刻时间缩短为原来的一半，两次蚀刻的总蚀刻量与原工艺一次蚀刻的蚀刻量相同；所述蚀刻采用的药液为SC1药液,该药液的体积浓度为75％，蚀刻要求的温度范围为30～50℃，初次蚀刻和第二次蚀刻的时间为15±1s；步骤二中，所述打字标识2的边缘会出现隆起，所述隆起在步骤三中第二次蚀刻处理过程中消除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 保定通美晶体制造有限责任公司 一种单面抛光晶片背面打字、蚀刻工艺

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