申请/专利权人：汉阳大学校产学协力团

申请日：2019-11-06

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113196307B

主分类号：G06N3/063

分类号：G06N3/063;H01L21/762;H01L21/8236;H01L29/772

优先权：["20181219 KR 10-2018-0165708"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本发明公开一种神经元及包括其的神经形态系统。本发明实施例的特征在于，神经元包括全耗尽型绝缘层上覆硅Silicon‑on‑insulator器件，根据所输入的电信号Spikes控制耗尽区域，来执行整合Integration及泄漏Leaky。

主权项：1.一种神经元装置，其特征在于，包括全耗尽型绝缘层上覆硅器件，根据所输入的电信号控制耗尽区域，来执行整合及泄漏，其中，所述全耗尽型绝缘层上覆硅器件形成为N型金属氧化物半导体晶体管，若向所述N型金属氧化物半导体晶体管的漏极区域施加电信号，则所述全耗尽型绝缘层上覆硅器件通过在与所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极区域相对应的耗尽区域中堆积正电荷执行整合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 汉阳大学校产学协力团 神经元及包括其的神经形态系统

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