申请/专利权人：财团法人工业技术研究院

申请日：2020-12-23

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113086939B

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81C1/00

优先权：["20191223 TW 108147159"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开

摘要：本发明公开一种微机电系统装置、其制法与使用其的整合式微机电系统，其中该微机电系统装置包含一基板，基板具有至少一接点。微机电系统装置也包含一第一介电层，第一介电层设置于基板上。微机电系统装置还包含至少一金属层，金属层设置于第一介电层上，且至少部分金属层电连接于接点。微机电系统装置包含一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层与金属层上并具有一凹槽结构。微机电系统装置也包含一结构层，结构层设置于第二介电层上并具有一开口。开口对应于凹槽结构设置，且开口的底部的截面积小于凹槽结构的顶部的截面积。微机电系统装置还包含一填充层，填充层至少部分设置于开口与凹槽结构中。第二介电层、结构层与填充层界定一空腔。

主权项：1.一种微机电系统装置的制造方法，包括：提供基板，该基板具有至少一接点；在该基板上形成第一介电层，其中该第一介电层具有至少一通孔，该通孔暴露该接点的部分顶表面；在该第一介电层上形成至少一第一金属层，其中至少部分该第一金属层电连接于该接点；在该第一介电层与该第一金属层上形成第二介电层；在该第二介电层上形成牺牲层；在该第二介电层与该牺牲层上形成结构层；将部分该结构层移除以形成第一开口，该第一开口暴露出该牺牲层的部分顶表面；通过该第一开口将部分该牺牲层移除以形成第二开口，该第二开口暴露出该第二介电层的部分顶表面；通过该第二开口将部分该第二介电层移除以形成凹槽结构；其中该第一开口的底部的截面积小于该凹槽结构的顶部的截面积，且该第一开口的底部的截面积小于该第一开口的顶部的截面积；将该牺牲层移除；以及形成填充层，其中至少部分该填充层形成于该第二开口与该凹槽结构中，且该第二介电层、该结构层与该填充层界定空腔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 财团法人工业技术研究院 微机电系统装置、其制法与使用其的整合式微机电系统

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