申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2019-02-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111819670B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/20;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792

优先权：["20180306 JP 2018-040042","20180306 JP 2018-040046","20180306 JP 2018-040041"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：提供一种电特性及可靠性良好的叠层体。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；以及绝缘体与导电体之间的第一氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，并且，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直。本发明的一个方式是一种叠层体，包括：绝缘体；导电体；绝缘体与导电体之间的第一氧化物；以及隔着绝缘体与第一氧化物对置的第二氧化物，其中，第一氧化物包括c轴取向的第一结晶区域，第一结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第一氧化物的面大致垂直，第二氧化物包括c轴取向的第二结晶区域，并且，第二结晶区域的c轴与绝缘体一侧的第二氧化物的面大致垂直。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一氧化物，其包括第一结晶区域；第二氧化物，其包括第二结晶区域；第三氧化物；第一绝缘体，其在所述第一氧化物与所述第二氧化物之间；第二绝缘体，其位于所述第三氧化物的上方；以及第一导电体，其中，所述第一氧化物与所述第一导电体的底面接触，所述第一绝缘体与所述第一氧化物的底面接触，所述第二氧化物与所述第一绝缘体的底面接触，所述第三氧化物与所述第二氧化物的底面接触，所述第一结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第一氧化物的面大致垂直，并且所述第二结晶区域的c轴与所述第一绝缘体一侧的所述第二氧化物的面大致垂直。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 叠层体及半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD