申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-10-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111477692B

主分类号：H01L31/02

分类号：H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0256

优先权：["20190122 KR 10-2019-0008330"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.11#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要：本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管或者该有机传感器的电子装置。该光电二极管包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的光电转换层；和在光电转换层上的补偿层，该补偿层配置为补偿光的吸收和反射。光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，第一波长和第二波长都在大约750nm至大约1200nm的波长区域内。光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，第三波长在大约750nm至大约1200nm的波长区域内，第三波长不同于第一波长。

主权项：1.一种光电二极管，包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层包括至少一种p型半导体和至少一种n型半导体以提供pn结，所述光电转换层与在第一波长处具有光吸收峰且在第二波长处具有反射峰的第一光谱相关，所述第一波长和所述第二波长都在750nm至1200nm的波长区域内；以及在所述光电转换层上的补偿层，所述补偿层配置为补偿所述光电二极管在一个或更多个波长区域中的光吸收特性和反射特性，其中所述光电二极管与在第三波长处具有光吸收峰的第二光谱相关，所述第三波长在750nm至1200nm的所述波长区域内，所述第三波长不同于所述第一波长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 光电二极管和有机传感器以及电子装置

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