申请/专利权人：江苏韦达半导体有限公司

申请日：2021-04-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113161238B

主分类号：H01L21/332

分类号：H01L21/332;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，提升产品的高温适应性能。

主权项：1.一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1）在单晶硅片上生长一层氧化层作为穿通隔离扩散的掩蔽层；步骤2）在氧化层边缘光刻穿通隔离扩散窗口；步骤3）在穿通隔离扩散窗口内涂上一层硼源，然后进行高温预扩散，将硼杂质P+扩散到硅表面附近；步骤4）进行高温对通隔离扩散，同时生长一层氧化层，使正反面的P+实现对通隔离；步骤5）进行短基区P扩散，使用硼族元素对双面进行扩散，形成背面阳极区和正面短基区，同时表面生长一层氧化层，作为阴极扩散的掩蔽层；步骤6）在正面氧化层上光刻阴极扩散窗口；步骤7）在高温下对阴极扩散窗口处的正面阴极区进行磷扩散，同时表面生长一层氧化层，作为台面腐蚀的掩蔽层；步骤8）在正面氧化层上光刻深槽腐蚀窗口；步骤9）在深槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成深沟槽，使得阴极区外围边缘表面的PN结隔离；步骤10）在正面门极附近光刻浅槽腐蚀窗口；步骤11）在浅槽腐蚀窗口处进行腐蚀，形成浅沟槽，使得门极附近的表面PN结隔离；步骤12）在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；步骤13）在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；步骤14）通过LPCVD方法，在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；步骤15）在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划线槽；步骤16）正、背面金属化，得到芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏韦达半导体有限公司 高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺

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