申请/专利权人：谷歌有限责任公司

申请日：2019-11-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112074950B

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538

优先权：["20181116 US 62/768,689","20190319 US 16/358,197"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：公开了一种处理器组件和包括处理器组件的系统。该处理器组件包括：中介件，该中介件设置在基板上；集成电路，该集成电路设置在中介件上；存储器电路，该存储器电路设置在中介件上并耦合到集成电路；和电容器，该电容器嵌入中介件中。电容器包括至少由非平面电介质结构分隔的第一非平面导体结构和第二非平面导体结构。电容器包括第一电容器端子，该第一电容器端子将第一非平面导体结构电耦合到集成电路中的第一电压端子。电容器包括第二电容器端子，该第二电容器端子将第二非平面导体结构电耦合到集成电路中的第二电压端子。电容器包括氧化物层，该氧化物层将电容器与中介件电隔离。

主权项：1.一种处理器组件，包括：中介件，所述中介件被设置在基板上；集成电路，所述集成电路被直接设置在所述中介件上；存储器电路，所述存储器电路被直接设置在所述中介件上并且被耦合到所述集成电路；和电容器，所述电容器被至少部分地嵌入所述中介件中，所述电容器包括：由非平面电介质结构分隔的至少第一非平面导体结构和第二非平面导体结构；第一电容器端子，所述第一电容器端子将所述第一非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第一电压端子；第二电容器端子，所述第二电容器端子将所述第二非平面导体结构电耦合到所述集成电路中的第二电压端子；和氧化物层，所述氧化物层将所述电容器与所述中介件电隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 谷歌有限责任公司 用于高性能专用集成电路(ASIC)应用的大型深沟槽电容器管芯填充

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