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【发明公布】支撑高性能多晶粒ASIC的插座_谷歌有限责任公司_202310060183.5 

申请/专利权人:谷歌有限责任公司

申请日:2023-01-16

公开(公告)日:2024-02-23

公开(公告)号:CN117594579A

主分类号:H01L25/07

分类号:H01L25/07;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/552;H01L21/60;H01L23/488

优先权:["20220819 US 63/399,300","20221123 US 17/993,240"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要:一种微电子系统可以包括:微电子元件,具有在其第一表面暴露的导电元件;安装到所述微电子元件的第一表面的插座,并且包括嵌入其中的衬底;一个或多个微电子元件,每个微电子元件具有有源半导体器件并且每一个具有在其正面暴露的元件触点;以及多个插座引脚,其安装到所述衬底并且在所述衬底上方延伸,所述插座引脚是接地屏蔽的同轴插座引脚。所述一个或多个微电子元件可以至少部分地设置在限定在所述插座内的凹槽内。插座具有栅格阵列,所述栅格阵列包括所述多个插座引脚的顶面或安装到所述插座引脚中相应的插座引脚的导电垫,并且所述一个或多个微电子元件的元件触点可以被压入与所述栅格阵列接触。

主权项:1.一种微电子系统,其特征在于,包括:微电子部件,所述微电子部件具有在其第一表面暴露的导电元件;插座,所述插座安装到所述微电子部件的所述第一表面,所述插座包括嵌入其中的衬底,所述插座在其中限定凹槽,所述衬底的第一表面面向所述微电子部件的所述第一表面;一个或多个微电子元件,每个微电子元件具有有源半导体器件,并且所述每个微电子元件具有在其正面暴露的元件触点,所述一个或多个微电子元件至少部分地设置在所述插座的所述凹槽内;多个插座引脚,所述多个插座引脚安装到所述衬底的第二表面并在所述衬底的所述第二表面上方延伸,所述插座引脚是接地屏蔽的同轴插座引脚,每个插座引脚具有内引脚和外屏蔽,所述内引脚被配置成在所述衬底与所述微电子元件之一之间传导电信号,所述外屏蔽围绕所述内引脚延伸并被配置成电连接到地电位,其中,所述插座具有栅格阵列,所述栅格阵列包括所述多个插座引脚的顶面或安装到所述插座引脚中相应的插座引脚的导电垫,并且所述一个或多个微电子元件的所述元件触点被压入到与所述栅格阵列接触。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 谷歌有限责任公司 支撑高性能多晶粒ASIC的插座

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