申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2019-08-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112585716B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20180830 US 16/117,457"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.09.17#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：本文中提供用于RF脉冲反射减少的方法。在一些实施例中，一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法包括：接收用于处理基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形；使用主RF发生器来产生具有基频和第一工作周期的晶体管‑晶体管逻辑TTL信号；为每个RF发生器设定乘数；将第一工作周期划分为高电平间隔和低电平间隔；确定用于每个RF发生器的频率命令集，并且将频率命令集发送至每个RF发生器，其中频率命令集包括每个RF发生器的频率设定点；以及将来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形提供至工艺腔室。

主权项：1.一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法，包括：接收用于处理所述基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形，其中所述多个RF发生器包括主RF发生器和一个或多个从RF发生器；使用所述主RF发生器来产生具有基频和第一工作周期的晶体管-晶体管逻辑TTL信号；为每个RF发生器设定乘数，其中所述乘数是所述基频的倍数；将所述第一工作周期划分为高电平间隔和低电平间隔；通过基于平均阻抗值计算目标阻抗并且将一个或多个RF匹配网络调谐至所述目标阻抗来确定用于每个RF发生器的频率命令集，并且将所述频率命令集发送至每个RF发生器，其中所述频率命令集包括每个RF发生器的频率设定点；以及根据发送至每个RF发生器的所述频率命令集将来自所述多个RF发生器的所述多个脉冲RF功率波形提供至工艺腔室。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 具有乘数模式的射频(RF)脉冲阻抗调谐

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