申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-11-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112567518B

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.04.13#实质审查的生效;2021.03.26#公开

摘要：在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口。电介质叠层包括垂直地交替的电介质层和牺牲层。移除牺牲层的面向开口的部分以形成多个第一凹槽。沿着多个第一凹槽的侧壁形成多个停止结构。在多个第一凹槽中的多个停止结构之上形成多个存储结构。从与多个第一凹槽相对的多个第二凹槽移除多个牺牲层以暴露多个停止结构。移除多个停止结构以暴露多个存储结构。在多个第二凹槽中的多个存储结构之上形成多个阻挡结构。

主权项：1.一种用于形成三维3D存储器器件的方法，包括：在衬底之上形成穿过电介质叠层垂直地延伸的第一开口，所述电介质叠层包括电介质层和与所述电介质层交错的牺牲层；移除所述牺牲层的面向所述开口的部分，以形成多个第一凹槽；通过使外延层从所述牺牲层的面向所述多个第一凹槽的侧壁生长，而沿着所述多个第一凹槽的侧壁形成多个停止结构；在所述多个第一凹槽中的所述多个停止结构之上形成多个存储结构，所述存储结构具有与相应的所述停止结构相同的垂直尺寸；从与所述多个第一凹槽相对的多个第二凹槽移除所述多个牺牲层，以暴露所述多个停止结构；移除所述多个停止结构，以暴露所述多个存储结构；以及通过氧化所述多个存储结构的面向所述多个第二凹槽的侧壁的部分，而在所述多个第二凹槽中的所述多个存储结构之上形成多个阻挡结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法

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